電子工程這門專業(yè)應(yīng)該有很多同學(xué)都不陌生，美國開設(shè)電子工程專業(yè)的大學(xué)很多，美國的電子工程專業(yè)是涵蓋很多小方向的一個專業(yè)，各個方向都有很多交叉，本專業(yè)是理論性與應(yīng)用性的結(jié)合，未來的就業(yè)機(jī)會很多，那么接下來小編就帶著大家一起來了解下美國哪些大學(xué)的電子工程專業(yè)比較好?五大名校申請條件全面解析的相關(guān)介紹盤點。

　　1.麻省理工學(xué)院| Massachusetts Institute of Technology

　　【項目介紹】

　　麻省理工的電子工程專業(yè)所在的 EECS 系是工程學(xué)院最大的一個 系，擁有大約 700 名博士生和碩士生。申請項目只針對 PhD， 沒有 Master，但所有博士生在獲得博士學(xué)位的同時獲得碩士學(xué)位。不提供春季項目。Master 只針對麻省理工 EECS 本科生。*胡同學(xué)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)電子計算機(jī)工程成功案例

　　學(xué)制：3-7 年

　　【申請條件】

　　硬性條件: TOEFL 100+ (internet-based) 或者 IELTS 7+，GPA 無明確要求但是建議 3.8 以上 , GRE 無硬性要求。

　　軟實力: 學(xué)生不僅是要相近的本科背景，并且要擁有很強(qiáng)的數(shù)學(xué)，物理，計算機(jī)科學(xué)或者工程背景。

　　2. 斯坦福大學(xué) Stanford University

　　【項目介紹】

　　隨著硅谷的崛起，位于硅谷的斯坦福大學(xué) EE 專業(yè)的影響力也與日俱增，或者從另 外一個角度來說，正是斯坦福大學(xué)給硅谷的崛起創(chuàng)造了技術(shù)與人員的基礎(chǔ)。同時，硅谷活躍的創(chuàng) 業(yè)氛圍也影響使斯坦?？梢哉f是全美創(chuàng)業(yè)氣氛最濃的學(xué)校。EE 系在學(xué)術(shù)屆一直被認(rèn)為是最注重實踐和與商業(yè)界聯(lián)系最緊密的專業(yè)之一。斯坦福每年 EE 每屆的 PhD+Master 一共 200 人左右， 其 中大約有 150 人是 Master。 在申請過程中，斯坦福比較偏好成績好，排名靠前的學(xué)生。個人覺得 如果你想學(xué)習(xí)扎實的 EE 知識，認(rèn)識一批有著以技術(shù)改變世界的人的話，并且生活在美國氣候最好的地方，斯坦福一定是最適合你的地方。

　　項目學(xué)制：MS 1.5-2 年;PhD 5 年

　　【申請條件】

　　申請難度：9

　　申請條件：IBT 100(斯坦福對學(xué)生的口語和聽力要求很高)， GRE 90% percentile or higher on the quantitative section, GPA 無明確要求但是建議 3.8 以上，TOEFL 成績， Ms 89+, Ph.D. 100+

　　3. 加州大學(xué)伯克利分校 UC Berkeley

　　【項目介紹】

　　與 Stanford 一樣，Berkeley 也對硅谷的發(fā)展起了重要作用，在學(xué)術(shù)界，她的研究被 普遍認(rèn)為極其注重理論，EE 也是實力超群，各個方向都很強(qiáng)。不過 Berkeley 受加州教育經(jīng)費(fèi)縮減的影響，經(jīng)費(fèi)緊缺，申請難度不亞于美國任何一所大學(xué)。申請以 PhD 為主。學(xué)校依ft而建，建 筑風(fēng)格樸素務(wù)實。 伯克利的 EECS 研究生項目 是全美數(shù)一數(shù)二的，學(xué)校資源豐富。

　　【申請條件】

　　申請難度：9平均入學(xué)率 12%

　　申請條件：GRE 350+ ( >90% in quantitative, >70% in verbal, >3.5 in analytical);

　　TOEFL 100+, iBT 90+ 或者 IELTS 7+; GPA 3.7+

　　4.加州理工學(xué)院|California Institute of Technology

　　【項目介紹】

　　Caltech 的 EE 小而精，因而申請起來難度相當(dāng)大，可以說，對于本科生而言，如果 不是 top2， 基本就不大可能了。認(rèn)識一些從 Caltech 畢業(yè)的朋友，確實水平相當(dāng)了得。學(xué)校位于 LA 富人區(qū)的美麗小鎮(zhèn)帕薩迪納，有幸去過一次，個人十分喜歡。如果你想加入 Sheldon 的行列， 歡迎申請。

　　項目：Master 1 年， Ph.D. 5 年

　　【申請條件】

　　申請難度：10

　　申請條件：IBT 無明確要求，建議 100+， GRE 無明確要求建議 325+, GPA 3.5/4, top 5%-10%. CIT 項目小而學(xué)術(shù)，因每年招人極少申請難度極高，建議申請者有豐富的科研經(jīng)驗以及比較深刻 的學(xué)術(shù)思考。

　　5.伊利諾伊大學(xué)香檳分校| University of Illinois--Urbana-Champaign

　　【項目介紹】

　　元老級學(xué)校，出過無數(shù)牛人，半導(dǎo)體物理，電機(jī)，電磁，系統(tǒng)(通訊/控制/DSP/imageprocessing 等)都很強(qiáng)， 還有不少其它學(xué)校沒有的方向，對 ee 的貢獻(xiàn)很大。transistor 的 發(fā)明者之一 Bardeen 曾在這里獲得了他的第二個 Nobel prize，由他留下的 semi conductor program 目前仍是全美最好的 program 之一。個人覺得 UIUC 的錄取標(biāo)有些與眾不同。你也許橫掃美國 Top 10 的名校，但是 UIUC 也許還是會給你發(fā)一封拒信。我有幸在去年春天的時候去過 UIUC 一 次，學(xué)校位于伊利諾伊廣袤的平原之中，頗有一絲仙風(fēng)道骨的感覺。

　　項目：M. Eng 一學(xué)年， M. S.2 年(本校學(xué)生有 MS 5 年項目)， Ph.D. 5 年

　　【申請條件】

　　申請難度：8

　　申請條件：IBT 68+ 建議 100+，雅思 70， GRE 無明確要求，建議 325+, GPA 無明確要求但是 建議 3.8 以上。

　　上文就是今天給大家整理介紹的美國哪些大學(xué)的電子工程專業(yè)比較好相關(guān)要點，給各位去海外留學(xué)的朋友們進(jìn)行參考，希望能夠幫到大家，如果你還有更多的問題都可以留言咨詢我們，IDP有專業(yè)團(tuán)隊為您進(jìn)行疑難解答，也祝各位即將去海外留學(xué)的朋友們有一個愉快的留學(xué)旅程。